KND8606A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KND8606A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19.3 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 145 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KND8606A
KND8606A Datasheet (PDF)
knd8606a knu8606a.pdf
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35A 60VN-CHANNELMOSFETKNX8606AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KNX8606Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETSwith provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA8606 meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full functionreliability approved.2. F
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