KND8606A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND8606A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND8606A datasheet

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KND8606A

35A 60V N-CHANNELMOSFET KNX8606A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description The KNX8606Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETSwith provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA8606 meet the RoHS and green product requirement, 100%EASguaranteed with full functionreliability approved. 2. F

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