KND8606A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KND8606A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для KND8606A
KND8606A Datasheet (PDF)
knd8606a knu8606a.pdf

35A 60VN-CHANNELMOSFETKNX8606AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KNX8606Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETSwith provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA8606 meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full functionreliability approved.2. F
Другие MOSFET... KND3508A , KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , STP75NF75 , KNE4603A2 , KNE6303A , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A , KNF4540A , KNF4660A .
History: CEP95P04 | WFP740 | IXTJ4N150 | RRQ020P03 | RQ6E035AT | HY3312PM | SVG108R5NAMQ
History: CEP95P04 | WFP740 | IXTJ4N150 | RRQ020P03 | RQ6E035AT | HY3312PM | SVG108R5NAMQ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet