KND8606A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KND8606A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.3 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 145 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
KND8606A Datasheet (PDF)
knd8606a knu8606a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
35A 60VN-CHANNELMOSFETKNX8606AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KNX8606Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETSwith provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA8606 meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full functionreliability approved.2. F
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .