KND8606A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND8606A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND8606A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND8606A даташит

 ..1. Size:208K  kia
 knd8606a knu8606a.pdf pdf_icon

KND8606A

35A 60V N-CHANNELMOSFET KNX8606A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description The KNX8606Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETSwith provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA8606 meet the RoHS and green product requirement, 100%EASguaranteed with full functionreliability approved. 2. F

Другие IGBT... KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, IRFP250N, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A, KNF4365A, KNF4540A, KNF4660A