KNE4603A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNE4603A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNE4603A2
KNE4603A2 Datasheet (PDF)
kne4603a2.pdf
7A30VKNE4603A2Dual N-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =14.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provideexcellent RDS
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Liste
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