KNE4603A2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNE4603A2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KNE4603A2 datasheet

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KNE4603A2

7A 30V KNE4603A2 Dual N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =14.5m (typ)@V =10 V DS(on) GS Super lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provide excellent RDS

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