KNE4603A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNE4603A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNE4603A2
KNE4603A2 Datasheet (PDF)
kne4603a2.pdf
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7A30VKNE4603A2Dual N-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =14.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provideexcellent RDS
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