KNE4603A2 Todos los transistores

 

KNE4603A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNE4603A2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KNE4603A2 Datasheet (PDF)

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KNE4603A2

7A30VKNE4603A2Dual N-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =14.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provideexcellent RDS

Otros transistores... KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , 7N65 , KNE6303A , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A , KNF4540A , KNF4660A , KNF4665A .

History: IRF9Z34L | SK50N06A | IPP034N08N5 | IPP041N04N | IPL60R075CFD7 | SST80R1K3S | IPN70R600P7S

 

 
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