KNE4603A2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNE4603A2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KNE4603A2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNE4603A2 даташит

 ..1. Size:198K  kia
 kne4603a2.pdf pdf_icon

KNE4603A2

7A 30V KNE4603A2 Dual N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =14.5m (typ)@V =10 V DS(on) GS Super lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provide excellent RDS

Другие IGBT... KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, IRF630, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A, KNF4365A, KNF4540A, KNF4660A, KNF4665A