Справочник MOSFET. KNE4603A2

 

KNE4603A2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KNE4603A2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KNE4603A2

 

 

KNE4603A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  kia
 kne4603a2.pdf

KNE4603A2 KNE4603A2

7A30VKNE4603A2Dual N-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =14.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE4603A2 is the high cell density trenched Dual N-channel MOSFET, which provideexcellent RDS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 125N10T

 

 
Back to Top