KNE6303A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNE6303A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KNE6303A datasheet

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KNE6303A

12A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX6303A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications Vds=30V R =9.0m (typ.),VGS@10V,Ids@12A DS(ON) R =11.5m (typ.),VGS@4.5V,Ids@6A DS(ON) 3. Pinconfiguration Pin Functio

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