KNE6303A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNE6303A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de KNE6303A MOSFET
KNE6303A Datasheet (PDF)
kne6303a.pdf

12A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX6303AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications Vds=30V R =9.0m(typ.),VGS@10V,Ids@12ADS(ON) R =11.5m(typ.),VGS@4.5V,Ids@6ADS(ON)3. PinconfigurationPin Functio
Otros transistores... KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , K3569 , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A , KNF4540A , KNF4660A , KNF4665A , KNF4665B .
History: MEE7636-G | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SFG08R06DF | IRFR410 | RU6050R | SI5429DU
History: MEE7636-G | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SFG08R06DF | IRFR410 | RU6050R | SI5429DU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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