Справочник MOSFET. KNE6303A

 

KNE6303A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KNE6303A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KNE6303A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  kia
 kne6303a.pdf pdf_icon

KNE6303A

12A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX6303AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications Vds=30V R =9.0m(typ.),VGS@10V,Ids@12ADS(ON) R =11.5m(typ.),VGS@4.5V,Ids@6ADS(ON)3. PinconfigurationPin Functio

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FK4B0112 | CHM4955JGP | APM4463K | BL80N20L-W | FL6L5201 | CS8N80A8H | BF862

 

 
Back to Top

 


 
.