KNE6303A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNE6303A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KNE6303A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNE6303A даташит

 ..1. Size:220K  kia
 kne6303a.pdf pdf_icon

KNE6303A

12A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX6303A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications Vds=30V R =9.0m (typ.),VGS@10V,Ids@12A DS(ON) R =11.5m (typ.),VGS@4.5V,Ids@6A DS(ON) 3. Pinconfiguration Pin Functio

Другие IGBT... KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2, IRF9540, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A, KNF4365A, KNF4540A, KNF4660A, KNF4665A, KNF4665B