KNE7306A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNE7306A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de KNE7306A MOSFET
KNE7306A Datasheet (PDF)
kne7306a.pdf

22A60VKNE7306AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =5.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE7306Ais the high cell density trenched N-chMOSFETs, which provideexcellent RDSONand gatecharge f
Otros transistores... KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , KNE6303A , 2N7000 , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A , KNF4540A , KNF4660A , KNF4665A , KNF4665B , KNF6140A .
History: SSM9916GJ | IRF720PBF | SSM9915K | OSG07N65FF | SSF4N60 | IRFB17N60K | MTB55N06Q8
History: SSM9916GJ | IRF720PBF | SSM9915K | OSG07N65FF | SSF4N60 | IRFB17N60K | MTB55N06Q8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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