KNE7306A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNE7306A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KNE7306A
KNE7306A Datasheet (PDF)
kne7306a.pdf

22A60VKNE7306AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =5.5m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNE7306Ais the high cell density trenched N-chMOSFETs, which provideexcellent RDSONand gatecharge f
Другие MOSFET... KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , KNE6303A , IRLZ44N , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A , KNF4540A , KNF4660A , KNF4665A , KNF4665B , KNF6140A .
History: KND6610A | SVG105R5NT | IXTJ4N150 | RRQ020P03 | SVG108R5NAMQ | HY3312PM | CEP95P04
History: KND6610A | SVG105R5NT | IXTJ4N150 | RRQ020P03 | SVG108R5NAMQ | HY3312PM | CEP95P04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement