STH6N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH6N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 125 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO218
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH6N100
STH6N100 Datasheet (PDF)
sth6n100.pdf
STH6N100STH6N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH6N100 1000 V
sth6n95k5-2.pdf
STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a HPAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati
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Liste
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