STH6N100 Todos los transistores

 

STH6N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH6N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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STH6N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  st
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STH6N100

STH6N100STH6N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH6N100 1000 V

 9.1. Size:346K  1
 sth6na80 sth6na80fi.pdf pdf_icon

STH6N100

 9.2. Size:706K  st
 sth6n95k5-2.pdf pdf_icon

STH6N100

STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a HPAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati

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History: SIHL530S | FDPF320N06L | FDD8770

 

 
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