STH6N100 - описание и поиск аналогов

 

STH6N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH6N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для STH6N100

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH6N100 даташит

 ..1. Size:365K  st
 sth6n100.pdf pdf_icon

STH6N100

STH6N100 STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH6N100 1000 V

 9.1. Size:346K  1
 sth6na80 sth6na80fi.pdf pdf_icon

STH6N100

 9.2. Size:706K  st
 sth6n95k5-2.pdf pdf_icon

STH6N100

STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati

Другие MOSFET... STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 , STH65N06FI , AO3400A , STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 .

History: STE38N60

 

 

 


 
↑ Back to Top
.