STH6N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH6N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
trⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO218
STH6N100 Datasheet (PDF)
sth6n100.pdf
STH6N100STH6N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH6N100 1000 V
sth6n95k5-2.pdf
STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a HPAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati
Другие MOSFET... STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 , STH65N06FI , IRF9540N , STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F