JCS50N20ABT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS50N20ABT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 501 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

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JCS50N20ABT datasheet

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JCS50N20ABT

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JCS50N20ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

Otros transistores... JCS4N80V, JCS4N90FH, JCS4N90RH, JCS4N90VH, JCS50N06CH, JCS50N06FH, JCS50N06RH, JCS50N06VH, 13N50, JCS50N20WT, JCS540BT, JCS540CT, JCS540FT, JCS540ST, JCS540WT, JCS5N50CC, JCS5N50FC