JCS50N20ABT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS50N20ABT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 501 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PB
Búsqueda de reemplazo de JCS50N20ABT MOSFET
JCS50N20ABT Datasheet (PDF)
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf

R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge
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History: VBMB2102M | PJP8NA50 | AM2303P | STP12NM50FD | QM6015B | NCEP1290AK
History: VBMB2102M | PJP8NA50 | AM2303P | STP12NM50FD | QM6015B | NCEP1290AK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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