JCS50N20ABT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS50N20ABT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 501 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-3PB

Аналог (замена) для JCS50N20ABT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS50N20ABT даташит

 ..1. Size:1386K  jilin sino
 jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

JCS50N20ABT

 8.1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

JCS50N20ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

Другие IGBT... JCS4N80V, JCS4N90FH, JCS4N90RH, JCS4N90VH, JCS50N06CH, JCS50N06FH, JCS50N06RH, JCS50N06VH, 13N50, JCS50N20WT, JCS540BT, JCS540CT, JCS540FT, JCS540ST, JCS540WT, JCS5N50CC, JCS5N50FC