JCS50N20ABT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JCS50N20ABT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 501 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-3PB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
JCS50N20ABT Datasheet (PDF)
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf

R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: GSM2302AS | IXTM4N50 | STF7N80K5 | LN235N3T5G | IRF3707SPBF | APT6011LVR | HM75N75K
History: GSM2302AS | IXTM4N50 | STF7N80K5 | LN235N3T5G | IRF3707SPBF | APT6011LVR | HM75N75K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055