STH7NA60 Todos los transistores

 

STH7NA60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH7NA60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO218
 

 Búsqueda de reemplazo de STH7NA60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH7NA60 datasheet

 ..1. Size:346K  1
 sth7na60 sth7na60fi.pdf pdf_icon

STH7NA60

 8.1. Size:132K  1
 sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STH7NA60

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

 8.2. Size:340K  1
 sth7na80 sth7na80fi.pdf pdf_icon

STH7NA60

 8.3. Size:106K  st
 sth7na90fi stw7na90.pdf pdf_icon

STH7NA60

STW7NA90 STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA90 900 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STH6N100 , STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , IRLB3034 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.