STH7NA60 - описание и поиск аналогов

STH7NA60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH7NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO218

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам