JCS730V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS730V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 59 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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JCS730V Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply
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