Справочник MOSFET. JCS730V

 

JCS730V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS730V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS730V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  jilin sino
 jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf pdf_icon

JCS730V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 0.1. Size:1785K  jilin sino
 jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf pdf_icon

JCS730V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: S70N08ZR | LR024N | TK8P60W | NTP2955 | TK4A50D | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.