KNH2910A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KNH2910A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 130 nC
   Tiempo de subida (tr): 91 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 630 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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KNH2910A Datasheet (PDF)

..1. Size:341K kia
knb2910a knp2910a knh2910a.pdf

130A100VKNX2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =5.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguratio

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY3708PM

Liste

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