KNH2910A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNH2910A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de KNH2910A MOSFET
KNH2910A Datasheet (PDF)
knb2910a knp2910a knh2910a.pdf

130A100VKNX2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =5.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguratio
Otros transistores... JCS9N90FT , JCS9N90WT , JS65R170ABM , JS65R170BM , JS65R170CM , JS65R170FM , JS65R170SM , JS65R170WM , IRFP250 , KNH3206A , KNH3208A , KNH3306A , KNH3725A , KNH7150A , KNH7650A , KNH9120A , KNH9130A .
History: WST2N7002K | HPW750N20SPA | NCEP40T15A | GPT18N50GN247 | IRF7467TR | NCE65T680D | HSO8810
History: WST2N7002K | HPW750N20SPA | NCEP40T15A | GPT18N50GN247 | IRF7467TR | NCE65T680D | HSO8810



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout