KNH2910A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNH2910A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KNH2910A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNH2910A даташит

 ..1. Size:341K  kia
 knb2910a knp2910a knh2910a.pdf pdf_icon

KNH2910A

130A 100V KNX2910A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =5.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguratio

Другие IGBT... JCS9N90FT, JCS9N90WT, JS65R170ABM, JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, AON7506, KNH3206A, KNH3208A, KNH3306A, KNH3725A, KNH7150A, KNH7650A, KNH9120A, KNH9130A