STH9N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH9N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO218
Búsqueda de reemplazo de STH9N80 MOSFET
STH9N80 Datasheet (PDF)
sth9na80fi.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
sth9na60fi.pdf
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
Otros transistores... STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , AO4468 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L .
Liste
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MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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