Справочник MOSFET. STH9N80

 

STH9N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH9N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO218
 

 Аналог (замена) для STH9N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH9N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  1
 sth9n80 sth9n80fi.pdf pdf_icon

STH9N80

 9.1. Size:133K  st
 sth9na80fi.pdf pdf_icon

STH9N80

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V

 9.2. Size:130K  st
 sth9na60fi.pdf pdf_icon

STH9N80

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V

 9.3. Size:147K  njs
 sth9na80fi stw9na80.pdf pdf_icon

STH9N80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HY3208AB

 

 
Back to Top

 


 
.