KNU6610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNU6610A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 26.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNU6610A
KNU6610A Datasheet (PDF)
knd6610a knu6610a.pdf
15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func
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Liste
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