Справочник MOSFET. KNU6610A

 

KNU6610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KNU6610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNU6610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf pdf_icon

KNU6610A

15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Другие MOSFET... KNP6180A , KNP6450A , KNP6650A , KNP7150A , KNP9120A , KNP9130A , KNU4360A , KNU4820B , 2SK3918 , KNU8103A , KNU8606A , KNY2803A , KNY3204A , KNY3303A , KNY3403A , KNY3404C , KNY3406C .

 

 
Back to Top

 


 
.