KPE4403A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPE4403A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
KPE4403A2 Datasheet (PDF)
kpe4403a2.pdf

-5.0A-30VKPE4403A2Dual P-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =42m(typ)@V =10 VDS(on) GSGreen device available Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KPE4403A2 is the high cell density trenched Dual P-channel MOSFET, whichprovide excellentRD
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History: IRFMG40 | 2SK3354Z



Liste
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