KPE4403A2 Todos los transistores

 

KPE4403A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPE4403A2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de KPE4403A2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KPE4403A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  kia
 kpe4403a2.pdf pdf_icon

KPE4403A2

-5.0A-30VKPE4403A2Dual P-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =42m(typ)@V =10 VDS(on) GSGreen device available Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KPE4403A2 is the high cell density trenched Dual P-channel MOSFET, whichprovide excellentRD

Otros transistores... KNU8606A , KNY2803A , KNY3204A , KNY3303A , KNY3403A , KNY3404C , KNY3406C , KNY3703A , IRF3205 , KPE4703A , S-L2N7002DW1T1G , L2N7002FLT1G , L2N7002KDW1T1G , L2N7002KDW1T3G , L2N7002KLT1G , L2N7002KN3T5G , S-L2N7002LT1G .

History: AP65PN2R6I | NCEP15T18T | BUZ37 | SL3139T | SRC60R360B | WPM2005B | NTD3817N-1G

 

 
Back to Top

 


 
.