Справочник MOSFET. KPE4403A2

 

KPE4403A2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KPE4403A2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KPE4403A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  kia
 kpe4403a2.pdf pdf_icon

KPE4403A2

-5.0A-30VKPE4403A2Dual P-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =42m(typ)@V =10 VDS(on) GSGreen device available Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KPE4403A2 is the high cell density trenched Dual P-channel MOSFET, whichprovide excellentRD

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP9465AGH | SMMBFJ310LT3G | R6524KNX | IRC330 | IRFHM3911TRPBF | TSM2N7002KCX | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.