KPE4703A Todos los transistores

 

KPE4703A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KPE4703A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOP8

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KPE4703A datasheet

 ..1. Size:174K  kia
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KPE4703A

-8A -30V KPE4703A P-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =19m (typ)@V =10 V DS(on) GS Super lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description TheKPE4703Ais the highcell density trenchedP-chMOSFET s, whichprovide excellent RDSON and gate charge

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History: WMM28N60F2 | IRF3706L | 30N06G-TN3-R | NDT4N70

 

 

 

 

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