KPE4703A Todos los transistores

 

KPE4703A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KPE4703A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de KPE4703A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KPE4703A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  kia
 kpe4703a.pdf pdf_icon

KPE4703A

-8A-30VKPE4703AP-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =19m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionTheKPE4703Ais the highcell density trenchedP-chMOSFETs, whichprovide excellent RDSONand gate charge

Otros transistores... KNY2803A , KNY3204A , KNY3303A , KNY3403A , KNY3404C , KNY3406C , KNY3703A , KPE4403A2 , IRF740 , S-L2N7002DW1T1G , L2N7002FLT1G , L2N7002KDW1T1G , L2N7002KDW1T3G , L2N7002KLT1G , L2N7002KN3T5G , S-L2N7002LT1G , L2N7002M3T5G .

History: SQM120N10-3M8 | IRF3711ZPBF | IXFK170N20T | IPD053N08N3 | FQB3N90TM | IPI60R099CPA | NDP6020P

 

 
Back to Top

 


 
.