KPE4703A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KPE4703A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для KPE4703A
KPE4703A Datasheet (PDF)
kpe4703a.pdf
-8A-30VKPE4703AP-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =19m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionTheKPE4703Ais the highcell density trenchedP-chMOSFETs, whichprovide excellent RDSONand gate charge
Другие MOSFET... KNY2803A , KNY3204A , KNY3303A , KNY3403A , KNY3404C , KNY3406C , KNY3703A , KPE4403A2 , IRF740 , S-L2N7002DW1T1G , L2N7002FLT1G , L2N7002KDW1T1G , L2N7002KDW1T3G , L2N7002KLT1G , L2N7002KN3T5G , S-L2N7002LT1G , L2N7002M3T5G .
History: SWMQI4N65D | IRF7343 | AP2306AGN | SWHA088R06VT | TPCA8123 | MMFTN3019E | SVS20N60KD2
History: SWMQI4N65D | IRF7343 | AP2306AGN | SWHA088R06VT | TPCA8123 | MMFTN3019E | SVS20N60KD2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent


