KPE4703A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KPE4703A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.2 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOP8
KPE4703A Datasheet (PDF)
..1. Size:174K kia
kpe4703a.pdf
kpe4703a.pdf
-8A-30VKPE4703AP-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =19m(typ)@V =10 VDS(on) GSSuper lowgate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionTheKPE4703Ais the highcell density trenchedP-chMOSFETs, whichprovide excellent RDSONand gate charge
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
