LBSS260DW1T1G Todos los transistores

 

LBSS260DW1T1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LBSS260DW1T1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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LBSS260DW1T1G Datasheet (PDF)

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LBSS260DW1T1G

LBSS260DW1T1GS-LBSS260DW1T1GN-Channel 60-V Power Mosfet1. FEATURESHigh speed switchESD protectedWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC88(SOT-363)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.2. APPLICATION

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History: 2N5640 | FMI13N60E | DM10N65C-2

 

 
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