LBSS260DW1T1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LBSS260DW1T1G
   Código: J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.38 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

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LBSS260DW1T1G Datasheet (PDF)

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LBSS260DW1T1GS-LBSS260DW1T1GN-Channel 60-V Power Mosfet1. FEATURESHigh speed switchESD protectedWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC88(SOT-363)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.2. APPLICATION

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