LBSS260DW1T1G Todos los transistores

 

LBSS260DW1T1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LBSS260DW1T1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm

Encapsulados: SOT363

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LBSS260DW1T1G datasheet

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LBSS260DW1T1G

LBSS260DW1T1G S-LBSS260DW1T1G N-Channel 60-V Power Mosfet 1. FEATURES High speed switch ESD protected We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. SC88(SOT-363) S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. 2. APPLICATION

Otros transistores... LBSS138LT1G , S-LBSS138LT1G , LBSS138WT1G , S-LBSS138WT1G , LBSS139DW1T1G , LBSS139DW1T3G , LBSS139LT1G , LBSS139LT3G , 2SK3878 , S-LBSS260DW1T1G , LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ .

History: APQ04SN60CF | TPCJ1012

 

 

 

 

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