LBSS260DW1T1G - описание и поиск аналогов

 

LBSS260DW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LBSS260DW1T1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для LBSS260DW1T1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LBSS260DW1T1G даташит

 ..1. Size:426K  lrc
 lbss260dw1t1g s-lbss260dw1t1g.pdf pdf_icon

LBSS260DW1T1G

LBSS260DW1T1G S-LBSS260DW1T1G N-Channel 60-V Power Mosfet 1. FEATURES High speed switch ESD protected We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. SC88(SOT-363) S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. 2. APPLICATION

Другие MOSFET... LBSS138LT1G , S-LBSS138LT1G , LBSS138WT1G , S-LBSS138WT1G , LBSS139DW1T1G , LBSS139DW1T3G , LBSS139LT1G , LBSS139LT3G , 2SK3878 , S-LBSS260DW1T1G , LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ .

History: S-LBSS138WT1G | VS4620DP-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.