Справочник MOSFET. LBSS260DW1T1G

 

LBSS260DW1T1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LBSS260DW1T1G
   Маркировка: J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для LBSS260DW1T1G

 

 

LBSS260DW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  lrc
 lbss260dw1t1g s-lbss260dw1t1g.pdf

LBSS260DW1T1G LBSS260DW1T1G

LBSS260DW1T1GS-LBSS260DW1T1GN-Channel 60-V Power Mosfet1. FEATURESHigh speed switchESD protectedWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC88(SOT-363)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.2. APPLICATION

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top