LBSS260DW1T1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LBSS260DW1T1G
Маркировка: J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 3.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.44 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для LBSS260DW1T1G
LBSS260DW1T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:426K lrc
lbss260dw1t1g s-lbss260dw1t1g.pdf
lbss260dw1t1g s-lbss260dw1t1g.pdf
LBSS260DW1T1GS-LBSS260DW1T1GN-Channel 60-V Power Mosfet1. FEATURESHigh speed switchESD protectedWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC88(SOT-363)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.2. APPLICATION
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
