Справочник MOSFET. LBSS260DW1T1G

 

LBSS260DW1T1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LBSS260DW1T1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.44 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для LBSS260DW1T1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LBSS260DW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  lrc
 lbss260dw1t1g s-lbss260dw1t1g.pdf pdf_icon

LBSS260DW1T1G

LBSS260DW1T1GS-LBSS260DW1T1GN-Channel 60-V Power Mosfet1. FEATURESHigh speed switchESD protectedWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC88(SOT-363)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.2. APPLICATION

Другие MOSFET... LBSS138LT1G , S-LBSS138LT1G , LBSS138WT1G , S-LBSS138WT1G , LBSS139DW1T1G , LBSS139DW1T3G , LBSS139LT1G , LBSS139LT3G , IRFP260 , S-LBSS260DW1T1G , LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ .

History: AP4575GM-HF | SSM3K03FE

 

 
Back to Top

 


 
.