SLD2N65UZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLD2N65UZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SLD2N65UZ Datasheet (PDF)

..1. Size:918K maple semi
sld2n65uz slu2n65uz.pdf

SLD2N65UZ / SLU2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin

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Liste

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