SLD2N65UZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLD2N65UZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.15 Ohm

Encapsulados: TO252

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SLD2N65UZ datasheet

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SLD2N65UZ

SLD2N65UZ / SLU2N65UZ 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin

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