Справочник MOSFET. SLD2N65UZ

 

SLD2N65UZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLD2N65UZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SLD2N65UZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD2N65UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  maple semi
 sld2n65uz slu2n65uz.pdf pdf_icon

SLD2N65UZ

SLD2N65UZ / SLU2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin

Другие MOSFET... LBSS260DW1T1G , S-LBSS260DW1T1G , LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , 8205A , SLU2N65UZ , SLD3101 , SLD5N50S2 , SLU5N50S2 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , SLU60R380S2 .

History: OSG80R380PF | SLB80R850SJ | LNH06R062 | CHM2401JGP | PK6H2BA | 6N60KG-TMS4-T | 2N3956

 

 
Back to Top

 


 
.