SLD2N65UZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLD2N65UZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC
Время нарастания (tr): 9.5 ns
Выходная емкость (Cd): 51 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.15 Ohm
Тип корпуса: TO252
SLD2N65UZ Datasheet (PDF)
..1. Size:918K maple semi
sld2n65uz slu2n65uz.pdf
sld2n65uz slu2n65uz.pdf
SLD2N65UZ / SLU2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
