SLU2N65UZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLU2N65UZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.5 nC
Tiempo de subida (tr): 9.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 51 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SLU2N65UZ Datasheet (PDF)
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SLD2N65UZ / SLU2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin
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