SLU2N65UZ - описание и поиск аналогов

 

SLU2N65UZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLU2N65UZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.15 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SLU2N65UZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU2N65UZ даташит

 ..1. Size:918K  maple semi
 sld2n65uz slu2n65uz.pdf pdf_icon

SLU2N65UZ

SLD2N65UZ / SLU2N65UZ 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin

Другие MOSFET... S-LBSS260DW1T1G , LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ , 4435 , SLD3101 , SLD5N50S2 , SLU5N50S2 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , SLU60R380S2 , SLD60R650S2 .

History: SLD5N65S | SLD2N65UZ | 2SK3575-S | 2SK1314S | DH020N03B | WML12N105C2 | WMP11N65SR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.