Справочник MOSFET. SLU2N65UZ

 

SLU2N65UZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLU2N65UZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.15 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU2N65UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  maple semi
sld2n65uz slu2n65uz.pdfpdf_icon

SLU2N65UZ

SLD2N65UZ / SLU2N65UZ650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 1.9A, 650V, RDS(on)typ = 3.45@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 5.5nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchin

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: LNE08R055W3 | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | KMDF2C03HD

 

 
Back to Top

 


 
.