SLU5N65S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLU5N65S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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SLU5N65S datasheet

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SLU5N65S

SLD5N65S / SLU5N65S SLD5N65S / SLU5N65S 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching

 9.1. Size:319K  maple semi
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SLU5N65S

LEAD FREE Pb RoHS SLD5N50S2 / SLU5N50S2 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35 @VGS = 10 V ( ) yp advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide super

Otros transistores... LBSS84ELT1G, S-LBSS84ELT1G, SLD2N65UZ, SLU2N65UZ, SLD3101, SLD5N50S2, SLU5N50S2, SLD5N65S, AON7410, SLD60R380S2, SLU60R380S2, SLD60R650S2, SLU60R650S2, SLD65R420S2, SLU65R420S2, SLD65R700S2, SLU65R700S2