SLU5N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLU5N65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 58 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.3 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SLU5N65S Datasheet (PDF)
sld5n65s slu5n65s.pdf
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sld5n50s2 slu5n50s2.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLD5N50S2 / SLU5N50S2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35@VGS = 10 V( ) ypadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide super
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