Справочник MOSFET. SLU5N65S

 

SLU5N65S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SLU5N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.3 nC
   Время нарастания (tr): 33 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SLU5N65S

 

 

SLU5N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  maple semi
sld5n65s slu5n65s.pdf

SLU5N65S SLU5N65S

SLD5N65S / SLU5N65SSLD5N65S / SLU5N65S650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching

 9.1. Size:319K  maple semi
sld5n50s2 slu5n50s2.pdf

SLU5N65S SLU5N65S

LEAD FREEPbRoHSSLD5N50S2 / SLU5N50S2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35@VGS = 10 V( ) ypadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide super

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KIA4N60H-251

 

 
Back to Top