SLU70R600S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLU70R600S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 27 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLU70R600S2
SLU70R600S2 Datasheet (PDF)
sld70r600s2 slu70r600s2.pdf
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sld70r420s2 slu70r420s2.pdf
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SLD70R420S2/SLU70R420S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc
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