Справочник MOSFET. SLU70R600S2

 

SLU70R600S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLU70R600S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SLU70R600S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU70R600S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  maple semi
 sld70r600s2 slu70r600s2.pdf pdf_icon

SLU70R600S2

SLD70R600S2/SLU70R600S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 700V, RDS(on)typ= 0.52@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

 8.1. Size:789K  maple semi
 sld70r420s2 slu70r420s2.pdf pdf_icon

SLU70R600S2

SLD70R420S2/SLU70R420S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc

Другие MOSFET... SLD65R420S2 , SLU65R420S2 , SLD65R700S2 , SLU65R700S2 , SLD65R950S2 , SLD70R420S2 , SLU70R420S2 , SLD70R600S2 , P60NF06 , SLD70R900S2 , SLF70R900S2 , SLD740UZ , SLD80R380SJ , SLU80R380SJ , SLP80R380SJ , SLF80R380SJ , SLB80R380SJ .

History: FQP1N60 | 2SK3872-01SJ | OSG65R580FT3F | 2SK1836 | R5013ANJ | AP18P10GJ-HF | SGSP351

 

 
Back to Top

 


 
.