SLD740UZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD740UZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SLD740UZ MOSFET
SLD740UZ Datasheet (PDF)
sld740uz.pdf

LEAD FREEPbRoHS SLD740UZ400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features - 11A, 400V, RDS(on)typ. = 0.55@VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced trench MOSFET technology. - Fast switchingThis advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche testedto minimize on-sta
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History: IRF7341I | 2SK1694 | TT8K1 | EMBA5P06J | RU3582S | NCEP4045GU | GT045N10D5
History: IRF7341I | 2SK1694 | TT8K1 | EMBA5P06J | RU3582S | NCEP4045GU | GT045N10D5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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