SLD740UZ Todos los transistores

 

SLD740UZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD740UZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD740UZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  maple semi
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SLD740UZ

LEAD FREEPbRoHS SLD740UZ400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features - 11A, 400V, RDS(on)typ. = 0.55@VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced trench MOSFET technology. - Fast switchingThis advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche testedto minimize on-sta

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History: RJK0353DPA

 

 
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