SLD740UZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLD740UZ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Encapsulados: TO252
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SLD740UZ datasheet
sld740uz.pdf
LEAD FREE Pb RoHS SLD740UZ 400V N-Channel MOSFET General Description Features - 11A, 400V, RDS(on)typ. = 0.55 @VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC) This Power MOSFET is produced using Maple semi s - High ruggedness advanced trench MOSFET technology. - Fast switching This advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche tested to minimize on-sta
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History: SLD80R380SJ | SLF80R500SJ
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