SLD740UZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SLD740UZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SLD740UZ
SLD740UZ Datasheet (PDF)
sld740uz.pdf

LEAD FREEPbRoHS SLD740UZ400V N-Channel MOSFETGeneral Description Features - 11A, 400V, RDS(on)typ. = 0.55@VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced trench MOSFET technology. - Fast switchingThis advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche testedto minimize on-sta
Другие MOSFET... SLU65R700S2 , SLD65R950S2 , SLD70R420S2 , SLU70R420S2 , SLD70R600S2 , SLU70R600S2 , SLD70R900S2 , SLF70R900S2 , STF13NM60N , SLD80R380SJ , SLU80R380SJ , SLP80R380SJ , SLF80R380SJ , SLB80R380SJ , SLI80R380SJ , SLD80R500SJ , SLU80R500SJ .
History: 2P826AC | IXTR90P10P | PK615BMA | AP2764AP-A | SI4834BDY | SSM4924GM | VBZE100N03
History: 2P826AC | IXTR90P10P | PK615BMA | AP2764AP-A | SI4834BDY | SSM4924GM | VBZE100N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229