STK14N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK14N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT82

Otros transistores... STHV102 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , IRF1404 , STK16N10L , STK17N10 , STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 .