STK14N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STK14N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT82
STK14N10 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... STHV102 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , IRF1404 , STK16N10L , STK17N10 , STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918