SLF50R140SJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLF50R140SJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SLF50R140SJ MOSFET
SLF50R140SJ Datasheet (PDF)
slf50r140sj slp50r140sj.pdf
SLF50R140SJSLP50R140SJ500V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c
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History: UT60N03 | STB300NH02L
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Liste
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