SLF50R140SJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLF50R140SJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SLF50R140SJ datasheet

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SLF50R140SJ

SLF50R140SJ SLP50R140SJ 500V N-Channel MOSFET Features General Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12 @VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semi s Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5 @VGS = 10 V This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c

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