Справочник MOSFET. SLF50R140SJ

 

SLF50R140SJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLF50R140SJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SLF50R140SJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF50R140SJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  maple semi
 slf50r140sj slp50r140sj.pdf pdf_icon

SLF50R140SJ

SLF50R140SJSLP50R140SJ500V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c

Другие MOSFET... SLD80R850SJ , SLU80R850SJ , SLP80R850SJ , SLF80R850SJ , SLB80R850SJ , SLI80R850SJ , SLF3101 , SLP3101 , NCEP15T14 , SLP50R140SJ , SLF60R080SS , SLF60R160S2 , SLF60R650S2 , SLF65R300S2 , SLF65R700S2 , SLF65R950S2 , SLH60R080SS .

History: SPC20N65G | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | TSM4416DCS | SM6A12NSU | IRF3007S

 

 
Back to Top

 


 
.