SLP50R140SJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLP50R140SJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SLP50R140SJ Datasheet (PDF)
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SLF50R140SJSLP50R140SJ500V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c
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