SLP50R140SJ Todos los transistores

 

SLP50R140SJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP50R140SJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SLP50R140SJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  maple semi
 slf50r140sj slp50r140sj.pdf pdf_icon

SLP50R140SJ

SLF50R140SJSLP50R140SJ500V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semis Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | RQK0608BQDQS | MRF5003 | AONS36316 | 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3

 

 
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