SLP50R140SJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP50R140SJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP50R140SJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP50R140SJ даташит

 ..1. Size:788K  maple semi
 slf50r140sj slp50r140sj.pdf pdf_icon

SLP50R140SJ

SLF50R140SJ SLP50R140SJ 500V N-Channel MOSFET Features General Description Features -25A, 500V, RDS(on) typ.= 0.12 @VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using Maple semi s Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 70nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5 @VGS = 10 V This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness - Low gate c

Другие IGBT... SLU80R850SJ, SLP80R850SJ, SLF80R850SJ, SLB80R850SJ, SLI80R850SJ, SLF3101, SLP3101, SLF50R140SJ, 7N60, SLF60R080SS, SLF60R160S2, SLF60R650S2, SLF65R300S2, SLF65R700S2, SLF65R950S2, SLH60R080SS, SLP10N60C