SLP12N60C Todos los transistores

 

SLP12N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP12N60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.61 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SLP12N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  maple semi
 slp12n60c slf12n60c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N60C / SLF12N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch

 7.1. Size:1813K  maple semi
 slp12n65c slf12n65c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N65C / SLF12N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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History: AP18P10GK | SFF116N10M | IRFH7934PBF

 

 
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