Справочник MOSFET. SLP12N60C

 

SLP12N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP12N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.61 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP12N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP12N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  maple semi
 slp12n60c slf12n60c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N60C / SLF12N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch

 7.1. Size:1813K  maple semi
 slp12n65c slf12n65c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N65C / SLF12N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие MOSFET... SLP10N60C , SLF10N60C , SLP10N65A , SLF10N65A , SLP10N65C , SLF10N65C , SLP10N65S , SLF10N65S , IRFP064N , SLF12N60C , SLP12N65C , SLF12N65C , SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , SLP16N50C .

History: AM80N03-05D | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133

 

 
Back to Top

 


 
.