SLP12N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP12N60C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.61 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP12N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP12N60C даташит

 ..1. Size:1352K  maple semi
 slp12n60c slf12n60c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N60C / SLF12N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch

 7.1. Size:1813K  maple semi
 slp12n65c slf12n65c.pdf pdf_icon

SLP12N60C

SLP12N65C / SLF12N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие IGBT... SLP10N60C, SLF10N60C, SLP10N65A, SLF10N65A, SLP10N65C, SLF10N65C, SLP10N65S, SLF10N65S, AO4468, SLF12N60C, SLP12N65C, SLF12N65C, SLP13N50A, SLF13N50A, SLP13N50C, SLF13N50C, SLP16N50C