SLP13N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLP13N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.463 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLP13N50C

SLP13N50C Datasheet (PDF)

..1. Size:1319K maple semi
slp13n50c slf13n50c.pdf

SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

6.1. Size:1086K maple semi
slp13n50a slf13n50a.pdf

LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: