SLP13N50C Todos los transistores

 

SLP13N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLP13N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.463 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SLP13N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  maple semi
 slp13n50c slf13n50c.pdf pdf_icon

SLP13N50C

SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 6.1. Size:1086K  maple semi
 slp13n50a slf13n50a.pdf pdf_icon

SLP13N50C

LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (

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History: P2806BD | BL40N30L-F | AP60SL600AH | AOD496 | 2SK596S-B | BUZ360 | 2SK802

 

 
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