SLP13N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP13N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.463 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP13N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP13N50C даташит

 ..1. Size:1319K  maple semi
 slp13n50c slf13n50c.pdf pdf_icon

SLP13N50C

SLP13N50C / SLF13N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 6.1. Size:1086K  maple semi
 slp13n50a slf13n50a.pdf pdf_icon

SLP13N50C

LEAD FREE Pb RoHS SLP13N50A / SLF13N50A 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483 @VGS = 10 V This advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC) to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (

Другие IGBT... SLP10N65S, SLF10N65S, SLP12N60C, SLF12N60C, SLP12N65C, SLF12N65C, SLP13N50A, SLF13N50A, 20N60, SLF13N50C, SLP16N50C, SLF16N50C, SLP16N50S, SLF16N50S, SLP18N50C, SLF18N50C, SLP20N50C