SLP13N50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLP13N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44 nC
Время нарастания (tr): 36.5 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.463 Ohm
Тип корпуса: TO220
SLP13N50C Datasheet (PDF)
slp13n50c slf13n50c.pdf
SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
slp13n50a slf13n50a.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
