Справочник MOSFET. SLP13N50C

 

SLP13N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP13N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.463 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP13N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP13N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  maple semi
 slp13n50c slf13n50c.pdf pdf_icon

SLP13N50C

SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 6.1. Size:1086K  maple semi
 slp13n50a slf13n50a.pdf pdf_icon

SLP13N50C

LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (

Другие MOSFET... SLP10N65S , SLF10N65S , SLP12N60C , SLF12N60C , SLP12N65C , SLF12N65C , SLP13N50A , SLF13N50A , 20N60 , SLF13N50C , SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C .

History: HSS3400A | SSM4500GM | SI2301CDS | AON7532E | QM2415SM8 | STF10NM65N

 

 
Back to Top

 


 
.