SLF16N50S Todos los transistores

 

SLF16N50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLF16N50S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SLF16N50S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SLF16N50S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:938K  maple semi
 slp16n50s slf16n50s.pdf pdf_icon

SLF16N50S

SLP16N50S / SLF16N50S500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on) = 280m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 31nC)This advanced technology has been especially tailored - Low Crss ( typical 6.8pF)to minimize on-state resistance, provide superior switching - High rug

 6.1. Size:1321K  maple semi
 slp16n50c slf16n50c.pdf pdf_icon

SLF16N50S

SLP16N50C / SLF16N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 305m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 52nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Otros transistores... SLF12N65C , SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , IRFZ44 , SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ , SLF2N65UZ , SLP32N20C , SLF32N20C .

History: 2SK526 | AOD2904 | SL20N10

 

 
Back to Top

 


 
.