SLF16N50S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLF16N50S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 247 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SLF16N50S Datasheet (PDF)
slp16n50s slf16n50s.pdf
SLP16N50S / SLF16N50S500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on) = 280m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 31nC)This advanced technology has been especially tailored - Low Crss ( typical 6.8pF)to minimize on-state resistance, provide superior switching - High rug
slp16n50c slf16n50c.pdf
SLP16N50C / SLF16N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 305m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 52nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
